|
5.C-RED 最近发现电子引发雪崩光电二极管(e-APD)使用碲镉汞(MCT)半导体材料在短波(1-2.5µm)红外成像中有一个的重大突破。这些二极管有一个雪崩增益高达100,同时伴随过量的噪声系数在1附近,显示雪崩过程是准确定性的。320×256 e-APD阵列硅读出电路允许快速的读出速率(在kHz范围内)建立成像杂交,同时有一个亚电子读出噪声,这是相比以前的红外成像技术的一大进步。使用该技术生产的e-APDs是一个类似于用于标准的HgCdTe二极管(具有100%的填充因子),因此保持了高量子效率(通常是QE = 70-75%)。 今天的First Light成像把这种技术提供给大家:在SWIR科学相机领域,在灵敏度和速度方面C-RED打开了一个新的时代。 C-RED采用独特的320×256像素HgCdTe e-APD阵列(24微米的像素间距)。传感器的截止波长为2.5微米,它允许亚电子读出噪声,利用的e-APD无噪声增益和非破坏性读出能力。C-RED也能够读出多个感兴趣区域(ROI),允许更快的图像速率(10’s of KHz)的同时保持前所未有的亚电子读出噪声。 使用一个集成的脉冲管,传感器被放置在一个密封的真空环境和冷却到低温(70K),具有高可靠性(MTBF > 90 000小时)比标准的斯特灵冷却器冷却红外阵列高多了。 主要特点
C-RED临时性能
初步结果 C-RED外形 C-RED可用于各种领域:
C-RED详细的信息,请点击data sheet查看 |