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1.锑化铟探测器—InSb Detectors InfraRed Associates提供的光伏锑化铟探测器,是通过使用单晶材料台面技术形成p-n结。这个过程产生最高质量的光电二极管而显示出在1μm至5.5μm波长范围内优良的电光性能。这些二极管是背景限制(BLIP)的探测器,其性能可以通过空间增强(冷却FOV stops)或频谱(冷却干扰滤波器)背景的减少。
光电效应是当适当的波长辐射在其上入射时,通过p-n结的电位时产生的。当光子通量照射交界处,如果光子的能量超过禁带宽度能量,电子 - 空穴对就形成。 领域扫过从p区到n区的电子,并从n区到p区的孔。这个过程使得p区正和n区负,并且在外部电路将产生的电流的流动。 InSb检测器的等效电路如下所示。这既包括信号和噪声电流发生器与电阻和长期并行的电容。 当背景辐射通过所产生的有源元件恒定的输出, 转移运行曲线时,探测器应反向偏置,使其恢复到最佳工作点:零电压。 这可通过使用一个匹配的前置放大器来实现,如我们的IAP-1000IS。检测器前置放大器系统操作在检测器噪声限制模式。双输出电源是必需的。 同时,可根据您的需要提供各种定制配置和设计的阵列。此外,还可提供各种冷却方法的功能定制金属和玻璃杜瓦瓶。详细情况,请联系我们。 |